Hvordan beregner man indbygget spænding?

2024 Forfatter: Miles Stephen | [email protected]. Sidst ændret: 2023-12-15 23:34

Det indbygget potentiale (ved 300 K) er lig med f_jeg = kT/q ln(10¹⁶ x 9 x 10¹⁷/n_jeg²) = 0,77 V, ved anvendelse af kT/q = 25,84 mV og n_jeg = 10¹⁰ cm^-3. Det indbygget potentiale (ved 100°C) er lig med f_jeg = kT/q ln(10¹⁶ x 9 x 10¹⁷/n_jeg²) = 0,673 V, ved anvendelse af kT/q = 32,14 mV og n_jeg = 8,55 x 10¹¹ cm^-3 (fra eksempel 20).

Hvad er følgelig den indbyggede spænding af et pn-kryds?

Der er en " bygget -i" SPÆNDING ved p-n kryds grænseflade, der forhindrer indtrængning af elektroner i p-siden og huller i n-siden. Når spænding V er positiv ("fremad" polaritet), det eksponentielle led stiger hurtigt med V, og strømmen er høj.

Og hvordan måler man barrierepotentiale? Et almindeligt voltmeter har en endelig indgangsimpedans, hvilket blot betyder, at man måle en spænding på tværs, skal der være noget (lille) strøm gennem voltmeteret. Altså til måle den indbyggede potentiel af en diode med et voltmeter ville kræve, at den indbyggede potentiel 'drive' en (lille) strøm gennem voltmeteret.

Hvad er så indbygget i spænding?

4.3. 1 Den bygget -i potentiale. Det bygget -in potential i en halvleder er lig med potentialet over udtømningsområdet i termisk ligevægt. Det er også lig med summen af bulkpotentialerne i hver region, da bulkpotentialet kvantificerer afstanden mellem fermi-energien og den iboende energi.

Hvad menes med udtømningsregion?

Udtømningsregion eller udtømningslag er en område i en P-N junction diode, hvor ingen mobile ladebærere er til stede. Udtømningslag fungerer som en barriere, der modarbejder strømmen af elektroner fra n-siden og huller fra p-siden.